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零件图片(仅供参考)
K4B8G1646D-MMK0
规格参数
  • 三星芯片型号:K4B8G1646D-MMK0
  • 制造商:SAMSUNG(三星半导体)
  • 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:8Gb
  • 架构:512M x 16
  • 速率:1600 Mbps
  • 工作电压:1.35 V
  • 工作温度:0 ~ 85 °C
  • 封装:96FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • K4B8G1646D-MMK0,三星半导体芯片产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:K4B8G1646D-MMK0
  • 原始制造厂商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 技术标准参数:SAMSUNG DRAM NAND
  • 产品应用分类:双倍数据率同步动态随机存储器
  • 点击此处查询K4B8G1646D-MMK0的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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